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IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

참조 용

부품 번호 IXXN110N65B4H1
PNEDA 부품 번호 IXXN110N65B4H1
설명 IGBT 650V 215A 750W SOT227B
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 9,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXXN110N65B4H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXN110N65B4H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IXXN110N65B4H1, IXXN110N65B4H1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 217.06 KB)
PDFIXXN110N65B4H1 데이터 시트 표지
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IXXN110N65B4H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)215A
전력-최대750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 110A
전류-수집기 차단 (최대)50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.65nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227B

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

49A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

90W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

145A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.93nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

APTGT300SK120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

440A

전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

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8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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