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IXYA8N90C3D1

IXYA8N90C3D1

참조 용

부품 번호 IXYA8N90C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYA8N90C3D1
설명 IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYA8N90C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYA8N90C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYA8N90C3D1, IXYA8N90C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 4,837.15 KB)
PDFIXYA8N90C3D1 데이터 시트 표지
IXYA8N90C3D1 데이터 시트 페이지 2

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IXYA8N90C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)900V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)48A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 8A
전력-최대125W
에너지 전환460µJ (on), 180µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지13.3nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/40ns
테스트 조건450V, 8A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)114ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AA

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/4.8µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

전력-최대

400W

에너지 전환

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

300nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/340ns

테스트 조건

600V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

NGTB40N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/286ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

240ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/95ns

테스트 조건

400V, 50A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

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