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IRG7PH50K10DPBF

IRG7PH50K10DPBF

참조 용

부품 번호 IRG7PH50K10DPBF
PNEDA 부품 번호 IRG7PH50K10DPBF
설명 IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
제조업체 Infineon Technologies
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IRG7PH50K10DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG7PH50K10DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG7PH50K10DPBF, IRG7PH50K10DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 549.8 KB)
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  • IRG7PH50K10DPBF Distributor

IRG7PH50K10DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 35A
전력-최대400W
에너지 전환2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지300nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C90ns/340ns
테스트 조건600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)130ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/112ns

테스트 조건

196V, 25A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.25mJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/132ns

테스트 조건

400V, 45A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

190W

에너지 전환

2.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT43GA90B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

129A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

전력-최대

337W

에너지 전환

875µJ (on), 425µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/82ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

전력-최대

62W

에너지 전환

220µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/260ns

테스트 조건

800V, 2A, 91Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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