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IXYH16N250CV1HV

IXYH16N250CV1HV

참조 용

부품 번호 IXYH16N250CV1HV
PNEDA 부품 번호 IXYH16N250CV1HV
설명 IGBT 2500V 35A TO247HV
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH16N250CV1HV 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH16N250CV1HV
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH16N250CV1HV, IXYH16N250CV1HV 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 215.75 KB)
PDFIXYH16N250CV1HV 데이터 시트 표지
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IXYH16N250CV1HV 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)35A
전류-수집기 펄스 (Icm)126A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 16A
전력-최대500W
에너지 전환4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/260ns
테스트 조건1250V, 16A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)19ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXYH)

관심을 가질만한 제품

IRG4BC20FPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

70µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/190ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGB40T65SPD-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

267W

에너지 전환

970µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/35ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

FGD2N40L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

29A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

전력-최대

29W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/650ns

테스트 조건

300V, 2.5A, 51Ohm, 4V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IXBT2N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

13A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

전력-최대

32W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

10.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

920ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

ISL9V5045S3ST-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

480V

전류-수집기 (Ic) (최대)

51A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

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TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

IRF5210SPBF

IRF5210SPBF

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MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

IHLP2525CZER2R2M01

IHLP2525CZER2R2M01

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FDS4935BZ

FDS4935BZ

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MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

SMBJ15A-E3/52

SMBJ15A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA