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IXYH75N65C3H1

IXYH75N65C3H1

참조 용

부품 번호 IXYH75N65C3H1
PNEDA 부품 번호 IXYH75N65C3H1
설명 IGBT 650V 170A 750W TO247
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH75N65C3H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH75N65C3H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH75N65C3H1, IXYH75N65C3H1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 231.97 KB)
PDFIXYH75N65C3H1 데이터 시트 표지
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IXYH75N65C3H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)170A
전류-수집기 펄스 (Icm)360A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
전력-최대750W
에너지 전환2.8mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지123nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/93ns
테스트 조건400V, 60A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXYH)

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

428W

에너지 전환

1.74mJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/490ns

테스트 조건

600V, 25A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

STGB20NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGB19NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

165µJ (on), 255µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/105ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

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에너지 전환

320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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에너지 전환

140µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/108ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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