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IXZ318N50

IXZ318N50

참조 용

부품 번호 IXZ318N50
PNEDA 부품 번호 IXZ318N50
설명 RF MOSFET N-CHANNEL
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 7,254
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXZ318N50 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXZ318N50
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
IXZ318N50, IXZ318N50 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 137.7 KB)
PDFIXZ318N50 데이터 시트 표지
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IXZ318N50 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈Z-MOS™
트랜지스터 유형N-Channel
주파수65MHz
이득23dB
전압-테스트100V
전류 정격 (Amps)19A
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력880W
전압-정격500V
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
공급자 장치 패키지DE375

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현재-테스트

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전원-출력

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공급자 장치 패키지

TO-220-3

LET16060C

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STMicroelectronics

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

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60W

전압-정격

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-1230S

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