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JAN2N4150

JAN2N4150

참조 용

부품 번호 JAN2N4150
PNEDA 부품 번호 JAN2N4150
설명 TRANS NPN 70V 10A TO-5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,056
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN2N4150 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN2N4150
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JAN2N4150 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 5A, 5V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8000 @ 1A, 10V

전력-최대

5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.7V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

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BD543B-S

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제조업체

Bourns Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1.6A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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Sanken

제조업체

Sanken

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 2A, 4V

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