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JANTX1N4150UR-1

JANTX1N4150UR-1

참조 용

부품 번호 JANTX1N4150UR-1
PNEDA 부품 번호 JANTX1N4150UR-1
설명 DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,416
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N4150UR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N4150UR-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JANTX1N4150UR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/231
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA
공급자 장치 패키지DO-213AA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

45A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

960pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2L

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-SD2500C12K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

3000A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.41V @ 4000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

75mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

패키지 / 케이스

DO-200AC, K-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AC, K-PUK

작동 온도-접합

-

S1G-JR3

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

70EPF04

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.33V @ 70A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

PowerTab™, PowIRtab™

공급자 장치 패키지

PowIRtab™

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

BA159GPEHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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