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KSA3010RTU

KSA3010RTU

참조 용

부품 번호 KSA3010RTU
PNEDA 부품 번호 KSA3010RTU
설명 TRANS PNP 120V 6A TO-3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KSA3010RTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSA3010RTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSA3010RTU, KSA3010RTU 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 139.75 KB)
PDFKSA3010RTU 데이터 시트 표지
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KSA3010RTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce55 @ 1A, 5V
전력-최대60W
주파수-전환30MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZTX749A_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-226

BC213

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSA614RTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

전력-최대

25W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

MMJT350T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

650mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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