KSC2786RBU
참조 용
| 부품 번호 | KSC2786RBU |
| PNEDA 부품 번호 | KSC2786RBU |
| 설명 | RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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KSC2786RBU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | KSC2786RBU |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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KSC2786RBU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| 주파수-전환 | 600MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 3dB ~ 5dB @ 100MHz |
| 이득 | 18dB ~ 22dB |
| 전력-최대 | 250mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 1mA, 6V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 20mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92S |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz 이득 15dB 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
