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L6388ED

L6388ED

참조 용

부품 번호 L6388ED
PNEDA 부품 번호 L6388ED
설명 IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 23,304
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6388ED 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6388ED
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6388ED, L6388ED 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 414.69 KB)
PDFL6388E 데이터 시트 표지
L6388E 데이터 시트 페이지 2 L6388E 데이터 시트 페이지 3 L6388E 데이터 시트 페이지 4 L6388E 데이터 시트 페이지 5 L6388E 데이터 시트 페이지 6 L6388E 데이터 시트 페이지 7 L6388E 데이터 시트 페이지 8 L6388E 데이터 시트 페이지 9 L6388E 데이터 시트 페이지 10 L6388E 데이터 시트 페이지 11

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L6388ED 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급17V (Max)
논리 전압-VIL, VIH1.1V, 1.8V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)400mA, 650mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)70ns, 40ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Renesas Electronics America Inc.

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2

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N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

9-QFN (3x3)

LT1160IN#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

60V

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 60ns

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-PDIP

LT1160CN#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

60V

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 60ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

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