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L6498LTR

L6498LTR

참조 용

부품 번호 L6498LTR
PNEDA 부품 번호 L6498LTR
설명 PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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L6498LTR 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6498LTR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6498LTR, L6498LTR 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 772.57 KB)
PDFL6498L 데이터 시트 표지
L6498L 데이터 시트 페이지 2 L6498L 데이터 시트 페이지 3 L6498L 데이터 시트 페이지 4 L6498L 데이터 시트 페이지 5 L6498L 데이터 시트 페이지 6 L6498L 데이터 시트 페이지 7 L6498L 데이터 시트 페이지 8 L6498L 데이터 시트 페이지 9 L6498L 데이터 시트 페이지 10 L6498L 데이터 시트 페이지 11

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L6498LTR 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH1.45V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2.5A
입력 유형CMOS/TTL
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)500V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지14-SO

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Renesas Electronics America Inc.

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게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

DGD2104S8-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AUIRS2336S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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