LN100LA-G
참조 용
| 부품 번호 | LN100LA-G |
| PNEDA 부품 번호 | LN100LA-G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1200V |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,204 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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LN100LA-G 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | LN100LA-G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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LN100LA-G 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Cascoded) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3000Ohm @ 2mA, 2.8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.6V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 전력-최대 | 350mW |
| 작동 온도 | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VFLGA |
| 공급자 장치 패키지 | 6-LFGA (3x3) |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.5pF @ 3V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
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