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NTHD4502NT1G

NTHD4502NT1G

참조 용

부품 번호 NTHD4502NT1G
PNEDA 부품 번호 NTHD4502NT1G
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 42,690
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NTHD4502NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTHD4502NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTHD4502NT1G, NTHD4502NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 124.84 KB)
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  • NTHD4502NT1G Distributor

NTHD4502NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds140pF @ 15V
전력-최대640mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지ChipFET™

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 6V

전력-최대

320mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TUMT6

NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA, 880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33pF @ 5V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

166pF @ 40V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

SI8904EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-MICRO FOOT®CSP

공급자 장치 패키지

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 25V

전력-최대

33W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

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