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ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

참조 용

부품 번호 ZXMHN6A07T8TA
PNEDA 부품 번호 ZXMHN6A07T8TA
설명 MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMHN6A07T8TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMHN6A07T8TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMHN6A07T8TA, ZXMHN6A07T8TA 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 592.95 KB)
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ZXMHN6A07T8TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds166pF @ 40V
전력-최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-223-8
공급자 장치 패키지SM8

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 25V

전력-최대

62.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

DMC1030UFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

전력-최대

1.36W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

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