US6J11TR
참조 용
| 부품 번호 | US6J11TR |
| PNEDA 부품 번호 | US6J11TR |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
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US6J11TR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | US6J11TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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US6J11TR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 12V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 6V |
| 전력-최대 | 320mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TUMT6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 240pF @ 25V 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-23-6L |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 970pF @ 25V 전력-최대 70W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) |
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