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SI8904EDB-T2-E1

SI8904EDB-T2-E1

참조 용

부품 번호 SI8904EDB-T2-E1
PNEDA 부품 번호 SI8904EDB-T2-E1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI8904EDB-T2-E1 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8904EDB-T2-E1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • SI8904EDB-T2-E1 Distributor

SI8904EDB-T2-E1 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-MICRO FOOT®CSP
공급자 장치 패키지6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

1.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRF9910TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

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Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 10mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

490nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9500pF @ 1000V

전력-최대

1100W

작동 온도

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장착 유형

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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50pF @ 25V

전력-최대

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