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M24C02-RMB6TG

M24C02-RMB6TG

참조 용

부품 번호 M24C02-RMB6TG
PNEDA 부품 번호 M24C02-RMB6TG
설명 IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8UFDFPN
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 50,025
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M24C02-RMB6TG 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M24C02-RMB6TG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M24C02-RMB6TG, M24C02-RMB6TG 데이터 시트 (총 페이지: 40, 크기: 366.59 KB)
PDFM24C04-RMB6TG 데이터 시트 표지
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M24C02-RMB6TG 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-UFDFPN (2x3)

관심을 가질만한 제품

W25Q80JVSNIQ TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DS1345YL-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-LPM

공급자 장치 패키지

34-LPM

MR45V200BRAZAARL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

34MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

93LC46A-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S29VS128RABBHI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

VS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-VFBGA

공급자 장치 패키지

44-FBGA (7.5x5)

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NC7SZ125M5X

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4TPE100MZB

4TPE100MZB

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CAP TANT POLY 100UF 4V 1411

RCLAMP3654P.TCT

RCLAMP3654P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6