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M58WR064KB7AZB6F TR

M58WR064KB7AZB6F TR

참조 용

부품 번호 M58WR064KB7AZB6F TR
PNEDA 부품 번호 M58WR064KB7AZB6F-TR
설명 IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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M58WR064KB7AZB6F TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M58WR064KB7AZB6F TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M58WR064KB7AZB6F TR, M58WR064KB7AZB6F TR 데이터 시트 (총 페이지: 111, 크기: 3,069.98 KB)
PDFM58WR064KT7AZB6E 데이터 시트 표지
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M58WR064KB7AZB6F TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-VFBGA
공급자 장치 패키지56-VFBGA (7.7x9)

관심을 가질만한 제품

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

W632GU6MB15I

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

S98WS512P00FW0032

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML01G200BHB000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

CY7C1480BV25-167BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

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