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MA4E2200E1-1068T

MA4E2200E1-1068T

참조 용

부품 번호 MA4E2200E1-1068T
PNEDA 부품 번호 MA4E2200E1-1068T
설명 RF DIODE SCHOTTKY 1.5V SOT143
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 5,364
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MA4E2200E1-1068T 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MA4E2200E1-1068T
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MA4E2200E1-1068T, MA4E2200E1-1068T 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 699.93 KB)
PDFMA4E2200E1-1068T 데이터 시트 표지
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MA4E2200E1-1068T 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 2 Independent
전압-피크 역방향 (최대)1.5V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F-
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-65°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지SOT-143

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

450mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

2V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.15pF @ 0V, 10MHz

저항 @ If, F

30Ohm @ 10mA, 10MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Chip

HSMS-281L-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BAR8902LRHE6433XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-2

HBAT-5400-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

220mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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