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MA4P1200NM-401T

MA4P1200NM-401T

참조 용

부품 번호 MA4P1200NM-401T
PNEDA 부품 번호 MA4P1200NM-401T
설명 RF DIODE PIN 100V 1.5W AXIAL
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 36,720
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MA4P1200NM-401T 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MA4P1200NM-401T
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MA4P1200NM-401T, MA4P1200NM-401T 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 2,305.78 KB)
PDFMA4P1450-1091T 데이터 시트 표지
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MA4P1200NM-401T 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1.5pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F750mOhm @ 50mA, 100MHz
전력 손실 (최대)1.5W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스Axial
공급자 장치 패키지Axial

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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