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MAX5075AAUA+T

MAX5075AAUA+T

참조 용

부품 번호 MAX5075AAUA+T
PNEDA 부품 번호 MAX5075AAUA-T
설명 IC DRVR FET P-P 8-UMAX
제조업체 Maxim Integrated
단가
1 ---------- $5.9410
250 ---------- $5.6625
500 ---------- $5.3840
1,000 ---------- $5.1055
2,500 ---------- $4.8735
5,000 ---------- $4.6414
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MAX5075AAUA+T 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX5075AAUA+T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX5075AAUA+T, MAX5075AAUA+T 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 225.27 KB)
PDFMAX5075CAUA-T 데이터 시트 표지
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  • MAX5075AAUA+T Distributor

MAX5075AAUA+T 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형RC Input Circuit
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-uMax-EP

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Renesas Electronics America Inc.

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채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2mA, 1.2mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3.5µs, 3µs

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SSOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

24V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7.8A, 7.1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL6612BECB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

FAN73832M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

15V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

350mA, 650mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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