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MAX620CWN

MAX620CWN

참조 용

부품 번호 MAX620CWN
PNEDA 부품 번호 MAX620CWN_5B
설명 IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 3,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MAX620CWN 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX620CWN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX620CWN, MAX620CWN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 392.6 KB)
PDFMAX620CWN+T 데이터 시트 표지
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MAX620CWN 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 16.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)1.7µs, 2.5µs
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지18-SOIC

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IXYS

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

공급자 장치 패키지

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IX4423N

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 18ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LMD18400N

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-25°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

20-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

20-DIP

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