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MC33151PG

MC33151PG

참조 용

부품 번호 MC33151PG
PNEDA 부품 번호 MC33151PG
설명 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,948
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC33151PG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC33151PG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MC33151PG, MC33151PG 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 246.85 KB)
PDFMC34151DR2 데이터 시트 표지
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MC33151PG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급6.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)31ns, 32ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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구동 구성

Low-Side

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게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL78420AVEZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.8V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-HTSSOP

MAX15024BATB+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.5V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

24ns, 16ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-TDFN-EP (3x3)

UCC27200ADRMR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VSON (4x4)

IRS2111PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

8.3V, 12.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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