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MCH5908H-TL-E

MCH5908H-TL-E

참조 용

부품 번호 MCH5908H-TL-E
PNEDA 부품 번호 MCH5908H-TL-E
설명 JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
제조업체 ON Semiconductor
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MCH5908H-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCH5908H-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MCH5908H-TL-E, MCH5908H-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 290.75 KB)
PDFMCH5908G-TL-E 데이터 시트 표지
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MCH5908H-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)16mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스5-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지5-MCPH

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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

750mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

350mW

작동 온도

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

10 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

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