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MCH6342-TL-W

MCH6342-TL-W

참조 용

부품 번호 MCH6342-TL-W
PNEDA 부품 번호 MCH6342-TL-W
설명 MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6
제조업체 ON Semiconductor
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MCH6342-TL-W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCH6342-TL-W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MCH6342-TL-W, MCH6342-TL-W 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 657.24 KB)
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MCH6342-TL-W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs73mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-88FL/MCPH6
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 230µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXFT52N30Q

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQPF9P25YDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F-3 (Y-Forming)

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

FDD5612

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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