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MCH6604-TL-E

MCH6604-TL-E

참조 용

부품 번호 MCH6604-TL-E
PNEDA 부품 번호 MCH6604-TL-E
설명 MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 8,190
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCH6604-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCH6604-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MCH6604-TL-E, MCH6604-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 247.96 KB)
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MCH6604-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.57nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6.6pF @ 10V
전력-최대800mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지6-MCPH

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1063pF @ 30V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI4973DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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SQJ500AEP-T1_GE3

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FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 20V

전력-최대

48W

작동 온도

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29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 8V

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전력-최대

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