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MG200J6ES61

MG200J6ES61

참조 용

부품 번호 MG200J6ES61
PNEDA 부품 번호 MG200J6ES61
설명 IGBT MOD CMPCT 600V 200A
제조업체 Powerex Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MG200J6ES61 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MG200J6ES61
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
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MG200J6ES61 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈IGBTMOD™
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce40nF @ 10V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

446W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.08V @ 15V, 75A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.45nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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SP4

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

-

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

148A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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