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MHT1003NR3

MHT1003NR3

참조 용

부품 번호 MHT1003NR3
PNEDA 부품 번호 MHT1003NR3
설명 IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MHT1003NR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MHT1003NR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MHT1003NR3, MHT1003NR3 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 2,925.34 KB)
PDFMMRF1311HR5 데이터 시트 표지
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MHT1003NR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.4GHz ~ 2.5GHz
이득15.9dB
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력250W
전압-정격32V
패키지 / 케이스OM-780-2
공급자 장치 패키지OM-780-2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PXAC261202FCV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.61GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-4

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

BLP05H6350XRGY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1224-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

475-501N44A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

48A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1800W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE475

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