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MJB45H11G

MJB45H11G

참조 용

부품 번호 MJB45H11G
PNEDA 부품 번호 MJB45H11G
설명 TRANS PNP 80V 10A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 17,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJB45H11G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJB45H11G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJB45H11G, MJB45H11G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 109.74 KB)
PDFMJB45H11 데이터 시트 표지
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MJB45H11G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 4A, 1V
전력-최대2W
주파수-전환40MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

465V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 2V

전력-최대

20W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZTX455STZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

BC307BTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

130MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SC2229-Y(SHP,F,M)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

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작동 온도

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