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MJE18002

MJE18002

참조 용

부품 번호 MJE18002
PNEDA 부품 번호 MJE18002
설명 TRANS NPN 450V 2A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
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MJE18002 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJE18002
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJE18002, MJE18002 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 155.65 KB)
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MJE18002 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce14 @ 200mA, 5V
전력-최대50W
주파수-전환13MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 1V

전력-최대

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전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

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15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 3mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 4.5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MJ21196G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 8A, 5V

전력-최대

250W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

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