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MKI75-06A7T

MKI75-06A7T

참조 용

부품 번호 MKI75-06A7T
PNEDA 부품 번호 MKI75-06A7T
설명 IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MKI75-06A7T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MKI75-06A7T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MKI75-06A7T, MKI75-06A7T 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 591.45 KB)
PDFMKI75-06A7T 데이터 시트 표지
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MKI75-06A7T 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전력-최대280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)1.3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E2
공급자 장치 패키지E2

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NPT

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

52A

전력-최대

225W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

400µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

APTGF25H120T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FD1200R17HP4KB2BOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

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