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MMBD354LT1G

MMBD354LT1G

참조 용

부품 번호 MMBD354LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBD354LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.3373
250 ---------- $1.2747
500 ---------- $1.2120
1,000 ---------- $1.1493
2,500 ---------- $1.0970
5,000 ---------- $1.0448
재고 있음 4,698
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MMBD354LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD354LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBD354LT1G, MMBD354LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 121.99 KB)
PDFNSVMMBD353LT1G 데이터 시트 표지
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MMBD354LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Cathode
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

7.5W

작동 온도

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

5082-2811#T25

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

HMPS-2825-TR1

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

4-UQFN

공급자 장치 패키지

MiniPak 1412

BA278,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 2mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

715mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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