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NSVMMBD353LT1G 데이터 시트

NSVMMBD353LT1G 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 121.99 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 10 부품 번호를 다룹니다.: NSVMMBD353LT1G, MMBD355LT1, MMBD354LT1, MMBD353LT1, MMBD352LT1, NSVMMBD354LT1G, MMBD352LT1G, MMBD354LT1G, MMBD353LT1G, MMBD355LT1G
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NSVMMBD353LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

7V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 10mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD355LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD354LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD353LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD352LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

NSVMMBD354LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD352LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD354LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD353LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD355LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)