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MMBD355LT1G

MMBD355LT1G

참조 용

부품 번호 MMBD355LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBD355LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.0685
500 ---------- $1.0185
1,000 ---------- $0.9684
2,500 ---------- $0.9183
5,000 ---------- $0.8765
10,000 ---------- $0.8348
재고 있음 5,386
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MMBD355LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD355LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBD355LT1G, MMBD355LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 121.99 KB)
PDFNSVMMBD353LT1G 데이터 시트 표지
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MMBD355LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1SV315-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

9Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

BA679-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

BA277,335

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

715mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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