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MMBF4392

MMBF4392

참조 용

부품 번호 MMBF4392
PNEDA 부품 번호 MMBF4392
설명 JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.5843
500 ---------- $0.5569
1,000 ---------- $0.5295
2,500 ---------- $0.5022
5,000 ---------- $0.4793
10,000 ---------- $0.4565
재고 있음 3,065
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MMBF4392 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBF4392
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBF4392, MMBF4392 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 282.2 KB)
PDFMMBF4392 데이터 시트 표지
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MMBF4392 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐)60 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-18 (TO-206AA)

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-71-6

공급자 장치 패키지

TO-71

FJN598JCTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

IJW120R100T1FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

전류 드레인 (Id)-최대

26A

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 mOhms

전력-최대

190W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

2N3820_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

8V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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