MMBFJ309LT1G
참조 용
| 부품 번호 | MMBFJ309LT1G |
| PNEDA 부품 번호 | MMBFJ309LT1G |
| 설명 | JFET N-CH 25V 30MA SOT23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMBFJ309LT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMBFJ309LT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MMBFJ309LT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel JFET |
| 주파수 | - |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | - |
| 전류 정격 (Amps) | 30mA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 25V |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 19.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 950mA 전원-출력 27W 전압-정격 66V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 500MHz 이득 11.5dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) 5A 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 8W 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 10-PowerSO |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 20GHz 이득 10.5dB 전압-테스트 2V 전류 정격 (Amps) 15mA 소음 수치 0.85dB 현재-테스트 6mA 전원-출력 - 전압-정격 3V 패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.8GHz ~ 2.2GHz 이득 28.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1.4µA 소음 수치 - 현재-테스트 222mA 전원-출력 - 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OMP-780-16G-1 공급자 장치 패키지 OMP-780-16G-1 |
