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MMBT5179

MMBT5179

참조 용

부품 번호 MMBT5179
PNEDA 부품 번호 MMBT5179
설명 RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MMBT5179 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT5179
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBT5179, MMBT5179 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 587.02 KB)
PDFMMBT5179 데이터 시트 표지
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MMBT5179 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
이득15dB
전력-최대225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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NPN

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

13dB

전력-최대

270W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

이득

10dB ~ 14.5dB

전력-최대

210mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

18GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

이득

9.5dB ~ 11.5dB

전력-최대

130mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

3-SuperMiniMold (M33)

BFR193FH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

12.5dB

전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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