MMBT5179
참조 용
| 부품 번호 | MMBT5179 |
| PNEDA 부품 번호 | MMBT5179 |
| 설명 | RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 670,524 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMBT5179 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMBT5179 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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MMBT5179 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 12V |
| 주파수-전환 | 2GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
| 이득 | 15dB |
| 전력-최대 | 225mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득 12.5dB 전력-최대 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대) 80mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-723 공급자 장치 패키지 PG-TSFP-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz 이득 11.5dB 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 80mA 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 18V 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 13dB 전력-최대 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 M174 공급자 장치 패키지 M174 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 9V 주파수-전환 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득 10dB ~ 14.5dB 전력-최대 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 35mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN 공급자 장치 패키지 TSLP-6-1 |
