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MMBT918

MMBT918

참조 용

부품 번호 MMBT918
PNEDA 부품 번호 MMBT918
설명 RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBT918 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT918
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBT918, MMBT918 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 748.99 KB)
PDFMMBT918 데이터 시트 표지
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MMBT918 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
이득15dB
전력-최대225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

11V

주파수-전환

3.2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

310mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.5dB

전력-최대

5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

750mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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