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MMBTH24-7-F

MMBTH24-7-F

참조 용

부품 번호 MMBTH24-7-F
PNEDA 부품 번호 MMBTH24-7-F
설명 RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 53,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTH24-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTH24-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBTH24-7-F, MMBTH24-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 556.72 KB)
PDFMMBTH24-7 데이터 시트 표지
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MMBTH24-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
주파수-전환400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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이득

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-623F

공급자 장치 패키지

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MPS5179RLRAG

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-92-3

46010

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

이득

10dB ~ 13.5dB

전력-최대

600mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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