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MMFZ33T1G

MMFZ33T1G

참조 용

부품 번호 MMFZ33T1G
PNEDA 부품 번호 MMFZ33T1G
설명 DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMFZ33T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMFZ33T1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MMFZ33T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 52.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-110

공급자 장치 패키지

SOD110

1N5921D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

3EZ140D2/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

140V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

475 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 106.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

TSZL52C10 RWG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005

BZX884-B2V4,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±2%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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