MMRF1304GNR1
참조 용
| 부품 번호 | MMRF1304GNR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MMRF1304GNR1 |
| 설명 | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,690 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMRF1304GNR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMRF1304GNR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MMRF1304GNR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 512MHz |
| 이득 | 25.4dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 10mA |
| 전원-출력 | 25W |
| 전압-정격 | 133V |
| 패키지 / 케이스 | TO-270BA |
| 공급자 장치 패키지 | TO-270-2 GULL |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.2GHz 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 38W 전압-정격 28V 패키지 / 케이스 NI-780-2S2L 공급자 장치 패키지 NI-780-2S2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.09GHz 이득 25dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 10mA 전원-출력 10W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 1.99GHz 이득 19dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 2.65A 전원-출력 80W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-34275G-6/2 공급자 장치 패키지 H-34275G-6/2 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 870MHz 이득 17dB 전압-테스트 13.6V 전류 정격 (Amps) 8A 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 15W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지 PowerSO-10RF (Straight Lead) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 940MHz 이득 21dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1A 전원-출력 39W 전압-정격 66V 패키지 / 케이스 NI-880 공급자 장치 패키지 NI-880 |
