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MMRF1315NR1

MMRF1315NR1

참조 용

부품 번호 MMRF1315NR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1315NR1
설명 FET RF 66V 880MHZ TO270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1315NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1315NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1315NR1, MMRF1315NR1 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 833.04 KB)
PDFMMRF1315NR1 데이터 시트 표지
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MMRF1315NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득21.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력14W
전압-정격66V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

512MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

CGH60015D-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

15W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

ARF466BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

16dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

150W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

BPS9G2933X-450Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

450W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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HX5149NLT

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PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 360UH

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AD694ARZ-REEL

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25AA512T-I/SM

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IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP