MRF19085LSR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF19085LSR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF19085LSR3 |
| 설명 | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,196 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF19085LSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF19085LSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF19085LSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 이득 | 13dB |
| 전압-테스트 | 26V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 850mA |
| 전원-출력 | 18W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득 12dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 120W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.58GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 28W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4L2L 공급자 장치 패키지 NI-780S-4L2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 16dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 54W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 NI-880S 공급자 장치 패키지 NI-880S |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득 15dB 전압-테스트 36V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 350W 전압-정격 80V 패키지 / 케이스 STAC265B 공급자 장치 패키지 STAC265B |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 HFET 주파수 12GHz 이득 13dB 전압-테스트 2V 전류 정격 (Amps) 15mA 소음 수치 0.5dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 4V 패키지 / 케이스 4-SMD 공급자 장치 패키지 SMD |
