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NE4210S01-T1B

NE4210S01-T1B

참조 용

부품 번호 NE4210S01-T1B
PNEDA 부품 번호 NE4210S01-T1B
설명 HJ-FET 13DB S01
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE4210S01-T1B 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE4210S01-T1B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE4210S01-T1B, NE4210S01-T1B 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,396.07 KB)
PDFNE4210S01-T1B 데이터 시트 표지
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NE4210S01-T1B 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득13dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)15mA
소음 수치0.5dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD
공급자 장치 패키지SMD

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

465MHz

이득

23dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

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