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MRF21030LR3

MRF21030LR3

참조 용

부품 번호 MRF21030LR3
PNEDA 부품 번호 MRF21030LR3
설명 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF21030LR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF21030LR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF21030LR3, MRF21030LR3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 743.09 KB)
PDFMRF21030LR3 데이터 시트 표지
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MRF21030LR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득13dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트250mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-400
공급자 장치 패키지NI-400

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-

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주파수

420MHz ~ 500MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

20dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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ATF-35143-TR1G

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

18dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

80mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

10dBm

전압-정격

5.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

110W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

SD57030

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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