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MRF5812MR1

MRF5812MR1

참조 용

부품 번호 MRF5812MR1
PNEDA 부품 번호 MRF5812MR1
설명 TRANS NPN 15V 200MA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5812MR1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5812MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • MRF5812MR1 Distributor

MRF5812MR1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Central Semiconductor Corp

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

11dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

AT-41586-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

이득

8dB ~ 17dB

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-86

공급자 장치 패키지

86 Plastic

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

11.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

66112

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

64051

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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