MRF5P20180HR6
참조 용
| 부품 번호 | MRF5P20180HR6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF5P20180HR6 |
| 설명 | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,340 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF5P20180HR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF5P20180HR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF5P20180HR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 이득 | 14dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.6A |
| 전원-출력 | 38W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 M/A-Com Technology Solutions 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득 19.22dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 18.1A 소음 수치 - 현재-테스트 400mA 전원-출력 500W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득 14dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 8W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-400-240 공급자 장치 패키지 NI-400-240 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 30dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 13.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 720mA 전원-출력 290W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지 H-37275G-6/2 |
