MRF5S19150HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF5S19150HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF5S19150HR3 |
| 설명 | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,970 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF5S19150HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF5S19150HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF5S19150HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.99GHz |
| 이득 | 14dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.4A |
| 전원-출력 | 32W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-880 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-880 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 520MHz 이득 10.8dB 전압-테스트 7.2V 전류 정격 (Amps) 4A 소음 수치 - 현재-테스트 750mA 전원-출력 12W 전압-정격 20V 패키지 / 케이스 TO-271AA 공급자 장치 패키지 PW-X |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 19dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 29A 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 25W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 22.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 10W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272BC 공급자 장치 패키지 TO-272-2 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.81GHz ~ 1.88GHz 이득 19.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 700mA 전원-출력 120W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT1275-3 공급자 장치 패키지 DFM6 |
