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MRF5S21150HR3

MRF5S21150HR3

참조 용

부품 번호 MRF5S21150HR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S21150HR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S21150HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S21150HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF5S21150HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득12.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력33W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-880
공급자 장치 패키지NI-880

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.99GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

74W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110B

공급자 장치 패키지

NI1230S-8

ATF-511P8-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

14.8dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

30dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

728MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

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